瑞萨电子率先推出业界首款8mm×8mm双面散热650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心800V HVDC架构

2026年9月30日，瑞萨电子在北京宣布率先在业界推出采用8mm×8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向800V HVDC架构的兆瓦级AI数据中心。该器件采用双面散热封装技术，可在高压直流供电场景下提升功率密度与散热效率，定位服务于AI数据中心的高压直流配电需求。