瑞萨推出业界首款双面散热650V氮化镓器件，面向AI数据中心800V高压直流架构

瑞萨电子9月30日正式发布TP65H020G4PLSGBD，为业界首款采用8mm×8mm双面散热PQFN封装的650V D-Mode氮化镓功率器件，导通电阻20mΩ、最高耐压700V，面向AI数据中心800V高压直流架构，可完成向48V、12V、6V等低压轨的转换。