氮化镓：定义下一代高性能半导体的核心材料

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料，具备高耐压、高频、低损耗等特性，可用于AI数据中心800V高压直流供电、新能源汽车800V快充、5G/6G射频及光电子等场景。其主流制备采用外延生长法，仍面临成本、良率和散热挑战，QST衬底等技术正推动成本下降。