康奈尔大学制成7eV超宽禁带晶体管,中国相关领域存差距
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康奈尔大学制成7eV超宽禁带晶体管,中国相关领域存差距
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AI 综述
2026年11月6日报道,美国康奈尔大学工程师以掺硅铝镓氧化物为材料、蓝宝石为衬底,制成带隙超过7eV的可工作晶体管,被称为当前工作电子器件中最宽的带隙。该器件可应用于数据中心UPS、48V直流配电等场景,有望提升供电效率、降低损耗,但目前仍处于实验室阶段,距离商用尚远。报道同时指出,中国国内已布局氧化镓、氮化铝等超宽禁带半导体研发,但在铝镓氧化物领域暂未出现器件级成果。
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最新进展11月6日 14:15
美国康奈尔大学造出7eV全球最宽禁带晶体管,中国超宽禁带半导体发展差距分析报道时间线
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11月6日
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美国康奈尔大学工程师以掺硅铝镓氧化物为材料、蓝宝石为衬底,制成带隙超7eV的可工作晶体管,为当前工作电子器件中最宽带隙。该器件可应用于数据中心UPS、48V直流配电等场景,能提升供电效率、降低损耗,目前仍处于实验室阶段,距离商用尚远。国内已布局氧化镓、氮化铝等超宽禁带半导体研发,铝镓氧化物领域暂未出现器件级成果。
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