XMax签署协议拟全资收购HexaGaN布局AI数据中心高压供电

据2026年10月10日报道，纳斯达克上市公司XMax Inc.（NASDAQ:XMAX）于10月9日发布新闻稿，宣布已签署正式股份购买协议，拟收购美国企业Hexa Creation Inc.（简称HexaGaN）100%已发行及流通股权。HexaGaN专注于1200V垂直氮化镓（GaN）功率半导体技术。 据2026年10月11日跟进报道，HexaGaN正在推进的为"原生1200V垂直GaN沟槽MOSFET（Native 1200V Vertical GaN Trench MOSFET）"技术路线；其目标应用在原"AI数据中心电力基础设施"之外，还包括电动汽车、储能系统及超快速充电等领域。XMax方面，本次收购被定位为将其此前围绕AI软件、平台服务和GPU基础设施展开的业务布局，进一步延伸至高压功率半导体领域。 截至本综述，新闻稿未披露交易作价、具体交割安排及后续审批等其他细节；事件仍以签署股份购买协议阶段的公开信息为限。

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