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扬杰科技以SGT MOSFET与SiC器件布局数据中心供电

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AI 综述

2026年10月23日,Google Alerts RSS“数据中心800V直流”相关报道显示,扬杰科技推出覆盖数据中心完整供电链路的中低压SGT MOSFET与SiC器件组合方案。报道称,相关产品已通过国内头部服务器电源厂商认证并批量出货;其SiC器件覆盖650V、750V至1700V耐压区间,6英寸SiC FAB已于2024年量产,可支撑48V与800V HVDC并存的分级供电架构。目前事件仅见该报道,尚无后续信息或其他来源对上述进展进行印证。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月23日
  1. Google Alerts RSS:数据中心 800V 直流
    扬杰科技以中低压SGT MOSFET与SiC器件布局数据中心绿色算力供电

    扬杰科技推出覆盖数据中心完整供电链路的中低压SGT MOSFET与SiC器件组合方案,相关产品已通过国内头部服务器电源厂商认证并批量出货。其SiC器件覆盖650V、750V至1700V耐压区间,6英寸SiC FAB已于2024年量产,可支撑48V与800V HVDC并存的分级供电架构。

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