美国某公司GaN路线首次跑通SST中压带载，对比GaN与SiC在数据中心800V直流母线的应用

美国某公司采用GaN路线首次跑通SST中压带载。数据中心安规标准中，800V直流母线采用单极架构时，主开关管耐压要求逼近900V甚至千伏级，选用1200V SiC技术上安全，但工作电压跨过1000V后存在相关应用问题。