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美国某公司GaN路线首次跑通SST中压带载

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AI 综述

2026年11月5日，Google Alerts RSS发布报道称，美国某公司采用GaN（氮化镓）路线，首次跑通SST（固态变压器）中压带载，并对比GaN与SiC（碳化硅）在数据中心800V直流母线中的应用。报道指出，在数据中心安规标准下，800V直流母线采用单极架构时，主开关管耐压要求逼近900V甚至千伏级；选用1200V SiC在技术上安全，但工作电压跨过1000V后存在相关应用问题。目前仅有该篇报道，暂无后续进展或其他来源印证。

AI 根据报道生成 · 7 小时前更新

最新进展11月5日 22:15
美国某公司GaN路线首次跑通SST中压带载，对比GaN与SiC在数据中心800V直流母线的应用

报道时间线

沿着报道，了解事件的不同侧面。

11月5日
  1. Google Alerts RSS：数据中心 800V 直流
    美国某公司GaN路线首次跑通SST中压带载，对比GaN与SiC在数据中心800V直流母线的应用

    美国某公司采用GaN路线首次跑通SST中压带载。数据中心安规标准中，800V直流母线采用单极架构时，主开关管耐压要求逼近900V甚至千伏级，选用1200V SiC技术上安全，但工作电压跨过1000V后存在相关应用问题。

本事件热度走势

可比范围当前
8
可比范围峰值
1011月5日 23:00
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