氮化镓材料特性、应用场景及制备挑战受关注

2026年10月15日，Google Alerts RSS以“数据中心800V直流”为关键词收录文章《氮化镓：定义下一代高性能半导体的核心材料》。文章称，氮化镓是第三代宽禁带半导体材料，具备高耐压、高频、低损耗等特性，可应用于AI数据中心800V高压直流供电、新能源汽车800V快充、5G/6G射频及光电子等场景。文章还称，氮化镓主流制备采用外延生长法，目前仍面临成本、良率和散热挑战，QST衬底等技术正在推动成本下降。该信息来自单篇文章，目前暂无后续报道或其他来源对相关说法进行印证。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。