瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率晶体管系列
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瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率晶体管系列
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AI 综述
2026年10月6日，瑞萨电子宣布推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体——100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，这是其首次将GaN技术扩展至低压领域。该系列包含RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC四款型号，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化及工业电机驱动等应用。据报道，相较硅基设计，该系列产品效率提升1%至3%，并消除Qrr损耗，开关损耗降低40%至70%；另一来源还称硬开关FOM最高降低35%、软开关FOM最高降低63%。产品采用与硅器件兼容的标准MOSFET封装，客户可从硅MOSFET方案直接迁移至GaN方案，无需大幅重新设计PCB。两篇来源时间相同，内容一致，未出现矛盾。
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最新进展10月6日 20:15
瑞萨电子推出品牌首款低压增强型氮化镓功率半导体，面向AI数据中心、人形机器人等应用报道时间线
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10月6日
- Google Alerts RSS：数据中心瑞萨电子推出品牌首款低压增强型氮化镓功率半导体，面向AI数据中心、人形机器人等应用
瑞萨电子于10月6日推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体——100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，型号包括RTP100E005G1FL等四款，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化及工业电机驱动等应用。
- Google Alerts RSS：人工智能数据中心瑞萨电子推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向AI数据中心与人形机器人等应用
瑞萨电子10月6日宣布推出公司首款100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化及工业电机驱动等应用。该系列产品涵盖RTP100E005G1FL等四款型号，相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%、软开关FOM最高降低63%，开关损耗降低40%至70%，效率较硅基设计提升1%至3%，并保持与硅器件兼容的封装尺寸。
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- 1910月6日 23:00
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10月7日12:0010月8日12:00
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