瑞萨业界率先推出100V低压GaN FET，面向AI数据中心与机器人
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2026年10月8日，瑞萨电子（TSE:6723）扩展氮化镓（GaN）产品组合，率先在业界推出100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，包含RTP100E0xx、RTP100E005G1FL等型号。针对AI服务器与工业基础设施向800VDC配电和48V总线架构过渡的趋势，该系列产品面向AI数据中心（包含800V HVDC配电场景）、人形机器人、工厂自动化及太阳能微型逆变器等高功率密度应用，设计上针对兆赫级开关频率场景，背景是当前数据中心电源转换器通常以数百千赫兹开关频率运行。性能方面，报道引用厂商说法称：相比同类GaN器件，硬开关FOM最高降低35%，软开关FOM最高降低63%；根据具体应用和电源转换架构，低压GaN可将开关损耗降低40%至70%，系统层面功率密度最高提升两倍；器件提供多种封装，RDS(on)覆盖5mΩ至1.2mΩ，可用于同步整流、多相降压转换和电机驱动，并可集成到瑞萨6kW 800V至48V DCX LLC及工业DC伺服等参考设计中。10月10日报道补充称，全新低压GaN功率晶体管现已上市，配套评估板同步提供；该报道同时指出在800V HVDC电源架构中采用低压GaN可简化电源转换设计，减小无源元件尺寸并降低开关损耗和散热需求。上市时间与定价信息在所获报道中仍未披露。
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- Google Alerts RSS：数据中心 800V 直流瑞萨电子在业界推出低压GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心800V HVDC等高功率密度应用
瑞萨电子宣布在业界推出100V增强型GaN分立功率晶体管系列，包含RTP100E005G1FL等型号，主打AI数据中心800V HVDC配电、人形机器人、工厂自动化及太阳能微型逆变器等高功率密度应用。
- Google Alerts RSS：数据中心 800V 直流瑞萨电子扩展 GaN 产品组合，率先推出面向 AI 数据中心和机器人应用的低压 GaN FET
瑞萨电子于 2026 年 10 月 8 日宣布推出业界率先的 100V 增强型低压 GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E0xx 等型号，面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和太阳能微型逆变器等高功率密度应用。
- Google Alerts RSS：人工智能数据中心瑞萨电子扩展GaN产品组合，率先推出面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET
瑞萨电子扩展氮化镓（GaN）产品组合，率先推出面向AI数据中心和机器人应用的低压GaN FET。该产品响应AI服务器及工业基础设施向800VDC配电与48V总线架构过渡的趋势，针对兆赫级开关频率场景设计。文中还提到数据中心电源转换器通常以数百千赫兹开关频率运行。（注：正文在提供的片段后被截断）
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