三安光电以低电阻SiC衬底与S²I-ARCP拓扑提升AIDC电源效率

三安光电旗下湖南三安将碳化硅衬底平均电阻率稳定至11mΩ•cm，并提出S²I-ARCP拓扑，基于SiC MOSFET的800V/15kW原型样机宽负载效率超99.6%。其AIDC用SiC MOSFET覆盖2300V、1200V、750V等规格，产品已向国内外头部服务器电源及数据中心基础设施企业批量交货，并应用于英伟达、谷歌、微软、亚马逊等终端客户的AIDC场景。