三安光电SiC器件批量供货AIDC电源

2026年11月1日，Google Alerts RSS两条同源报道称，三安光电旗下湖南三安将碳化硅衬底平均电阻率稳定至11mΩ·cm，并提出S²I-ARCP拓扑。报道显示，基于三安SiC MOSFET搭建的800V/15kW原型样机宽负载效率超过99.6%，支持自然对流散热；其中一条报道还称其在30kHz/10kW工况下器件温度降低约50°C，dv/dt设为6.7kV/µs。三安AIDC用SiC MOSFET覆盖2300V、1200V、750V等规格，并提供TOLL、TOLT、X2PAK、QDPAK等封装。报道称，三安产品已向国内外头部服务器电源及数据中心基础设施企业批量交货，并与多家客户签署长协订单；通过核心合作伙伴供应链，产品已应用于英伟达、谷歌、微软、亚马逊等终端客户的AIDC场景。上述均为该报道说法。

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