三安光电以低电阻SiC衬底与S²I-ARCP拓扑提升AIDC电源效率

三安光电旗下湖南三安将SiC衬底平均电阻率稳定至11mΩ•cm，并提出S²I-ARCP拓扑。基于三安SiC MOSFET的800V/15kW原型样机宽负载效率超99.6%，30kHz/10kW工况下器件温度降低约50°C，dv/dt设为6.7kV/µs。其SiC MOSFET已批量交货，并进入英伟达、谷歌、微软、亚马逊等AIDC场景。